近日，江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司（簡稱“能華半導體”），在東莞舉辦了技術(shù)研討會和客戶答謝宴。此次活動旨在分享最新的氮化鎵行業(yè)技術(shù)進展，探討行業(yè)趨勢，并加強公司與客戶的交流合作。

　　能華半導體于2010年成立，是國內(nèi)領(lǐng)先的專注于第三代半導體GaN的高新技術(shù)企業(yè)，核心團隊匯聚了從外延到器件設(shè)計、制造工藝，封裝和測試到應(yīng)用模塊等各個環(huán)節(jié)的科技創(chuàng)新型資深專家，是全球為數(shù)不多同時掌握增強型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導體公司，自成立至今已獲得專利100多項?？偛课挥诮K蘇州，在加州硅谷、深圳均設(shè)有研發(fā)基地和市場銷售中心。

　　研討會匯集了來自全國各地的六百多位行業(yè)專家、學者、媒體及企業(yè)代表?，F(xiàn)場座無虛席，參會者們積極互動，討論氛圍非?；钴S。

　　來自復旦大學、南京大學、東南大學、華南理工大學等國內(nèi)知名高校的教授們帶來了關(guān)于氮化鎵領(lǐng)域的前沿研究成果和深刻見解。同時，能華半導體的高層領(lǐng)導和技術(shù)人員也在研討會上分享了氮化鎵相關(guān)技術(shù)的發(fā)展趨勢，以及公司在氮化鎵產(chǎn)品領(lǐng)域的最新進展和成果。

　　復旦大學教授黃偉指出，GaN功率器件在高頻快充等應(yīng)用中表現(xiàn)出眾，未來在AI人工智能發(fā)展背景下，GaN技術(shù)將生機無限。南京大學教授陸海介紹了GaN功率器件在瞬態(tài)能量沖擊、浪涌電流應(yīng)力等工況下的可靠性表征平臺，并詳細講解了在航天抗輻照應(yīng)用中的測試成果。東南大學博士李勝則全面對比了級聯(lián)型GaN功率HEMT器件與硅基超結(jié)MOSFET器件的電學參數(shù)，闡述了GaN功率HEMT器件的電學特性優(yōu)勢及其設(shè)計優(yōu)化方向。華南理工大學教授李宗濤分享了電子散熱技術(shù)的最新進展，提出了異構(gòu)集成近結(jié)散熱的新設(shè)計思路。

　　此外，能華半導體的CTO李亦衡介紹了能華半導體在D-mode和E-mode GaN器件方面的現(xiàn)狀和未來規(guī)劃，能華半導體外延副總夏遠洋闡述了提升GaN材料耐壓水平和GaN材料的外延優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，能華半導體研發(fā)副總武樂可詳細介紹了能華半導體GaN產(chǎn)品的制造工藝、市場表現(xiàn)以及產(chǎn)品介紹。能華半導體應(yīng)用副總章濤分享了GaN功率器件在新能源電動汽車等多元化應(yīng)用中的巨大潛力和機遇，并提出應(yīng)對現(xiàn)有技術(shù)挑戰(zhàn)的策略。能華半導體戰(zhàn)略合作伙伴陳揚則詳細介紹了單級式諧振變換器的設(shè)計與應(yīng)用優(yōu)勢，展示了該技術(shù)在氮化鎵器件中的實際應(yīng)用案例。

　　此次研討會展示了氮化鎵技術(shù)的最新進展和應(yīng)用前景，促進了能華半導體與客戶及學術(shù)界的深入交流。與會者一致認為，此次會議為行業(yè)發(fā)展提供了重要的交流平臺，對推動氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用具有積極意義。能華半導體表示，未來將繼續(xù)推進更多高質(zhì)量的研討會和交流活動，進一步促進產(chǎn)學研的深度融合。

　　能華半導體表示，公司將繼續(xù)秉持開放合作的態(tài)度，與各界攜手共進，推動氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用，為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展貢獻力量。

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