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能華半導體技術(shù)研討會(huì )圓滿(mǎn)落幕 行業(yè)專(zhuān)家齊聚一堂共話(huà)未來(lái)
2024-06-21 記者 李超 北京報道 來(lái)源: 經(jīng)濟參考網(wǎng)

  近日,江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“能華半導體”),在東莞舉辦了技術(shù)研討會(huì )和客戶(hù)答謝宴。此次活動(dòng)旨在分享最新的氮化鎵行業(yè)技術(shù)進(jìn)展,探討行業(yè)趨勢,并加強公司與客戶(hù)的交流合作。

  能華半導體于2010年成立,是國內領(lǐng)先的專(zhuān)注于第三代半導體GaN的高新技術(shù)企業(yè),核心團隊匯聚了從外延到器件設計、制造工藝,封裝和測試到應用模塊等各個(gè)環(huán)節的科技創(chuàng )新型資深專(zhuān)家,是全球為數不多同時(shí)掌握增強型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅方案的半導體公司,自成立至今已獲得專(zhuān)利100多項??偛课挥诮K蘇州,在加州硅谷、深圳均設有研發(fā)基地和市場(chǎng)銷(xiāo)售中心。

  研討會(huì )匯集了來(lái)自全國各地的六百多位行業(yè)專(zhuān)家、學(xué)者、媒體及企業(yè)代表?,F場(chǎng)座無(wú)虛席,參會(huì )者們積極互動(dòng),討論氛圍非?;钴S。

  來(lái)自復旦大學(xué)、南京大學(xué)、東南大學(xué)、華南理工大學(xué)等國內知名高校的教授們帶來(lái)了關(guān)于氮化鎵領(lǐng)域的前沿研究成果和深刻見(jiàn)解。同時(shí),能華半導體的高層領(lǐng)導和技術(shù)人員也在研討會(huì )上分享了氮化鎵相關(guān)技術(shù)的發(fā)展趨勢,以及公司在氮化鎵產(chǎn)品領(lǐng)域的最新進(jìn)展和成果。

  復旦大學(xué)教授黃偉指出,GaN功率器件在高頻快充等應用中表現出眾,未來(lái)在A(yíng)I人工智能發(fā)展背景下,GaN技術(shù)將生機無(wú)限。南京大學(xué)教授陸海介紹了GaN功率器件在瞬態(tài)能量沖擊、浪涌電流應力等工況下的可靠性表征平臺,并詳細講解了在航天抗輻照應用中的測試成果。東南大學(xué)博士李勝則全面對比了級聯(lián)型GaN功率HEMT器件與硅基超結MOSFET器件的電學(xué)參數,闡述了GaN功率HEMT器件的電學(xué)特性?xún)?yōu)勢及其設計優(yōu)化方向。華南理工大學(xué)教授李宗濤分享了電子散熱技術(shù)的最新進(jìn)展,提出了異構集成近結散熱的新設計思路。

  此外,能華半導體的CTO李亦衡介紹了能華半導體在D-mode和E-mode GaN器件方面的現狀和未來(lái)規劃,能華半導體外延副總夏遠洋闡述了提升GaN材料耐壓水平和GaN材料的外延優(yōu)勢與挑戰,能華半導體研發(fā)副總武樂(lè )可詳細介紹了能華半導體GaN產(chǎn)品的制造工藝、市場(chǎng)表現以及產(chǎn)品介紹。能華半導體應用副總章濤分享了GaN功率器件在新能源電動(dòng)汽車(chē)等多元化應用中的巨大潛力和機遇,并提出應對現有技術(shù)挑戰的策略。能華半導體戰略合作伙伴陳揚則詳細介紹了單級式諧振變換器的設計與應用優(yōu)勢,展示了該技術(shù)在氮化鎵器件中的實(shí)際應用案例。

  此次研討會(huì )展示了氮化鎵技術(shù)的最新進(jìn)展和應用前景,促進(jìn)了能華半導體與客戶(hù)及學(xué)術(shù)界的深入交流。與會(huì )者一致認為,此次會(huì )議為行業(yè)發(fā)展提供了重要的交流平臺,對推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的創(chuàng )新和應用具有積極意義。能華半導體表示,未來(lái)將繼續推進(jìn)更多高質(zhì)量的研討會(huì )和交流活動(dòng),進(jìn)一步促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研的深度融合。

  能華半導體表示,公司將繼續秉持開(kāi)放合作的態(tài)度,與各界攜手共進(jìn),推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的創(chuàng )新與應用,為行業(yè)的可持續發(fā)展貢獻力量。

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